Jag tänkte att göra smart urladdning för AA-batterier med hjälp av ett kort Arduino. Därför hade jag ett behov av att bryta urladdningskretsen när en viss spänning på batteriet nåddes. Efter att ha läst böcker och artiklar bestämde jag att för denna uppgift finns det två alternativ för att lösa problemet: det första är att bryta urladdningskretsen med ett relä som styrs av 5 volt; den andra - med hjälp av en kraftfull MOSFET-fälteffekttransistor.
Beteckningsschema:
Jag valde IRFZ44N Induced Channel Induced Channel Field Effect Transistor (MOSFET).
Dokumentation för IRFZ44N - IRFZ44N_en.PDF
Visa online-fil:
För att öppna den (minska spänningen mellan terminalerna "källa" och "dränering" kommer att minska kraftigt), är det nödvändigt att applicera en spänning på terminalens "grind", som kallas en "tröskelspänning vid grinden".
För IRFZ44N-transistorn normaliseras “gate gate voltage” från 2 volt till 4 volt.
Från dokumentationen (se foto ovan) kan vi bestämma vilken motstånd transistorn kommer att ha mellan källan och avloppet vid grindspänningen i förhållande till källan på 4,5 volt och den spänning som appliceras på källan och dränering (urladdningskrets). Från diagrammet ser vi att vid Uc = 4,5 V, Uc = 1,5 V, är strömmen genom transistorn Ic = 7 A. Nu beräknar vi motståndet mellan källa-dräneringsterminalerna med Ohms lag: Ric = 1,5 / 7 = 0,214 ohm. Från dokumentationen vet vi att motståndet för en helt öppen transistor är Rds (on) = 0,0175 ohm. Jag tappar batteriet med en ström på högst 0,5 ampere. Vi bestämmer vilken effekt som kommer att släppas på transistorn vid en ström på 0,5 A: P = 0,5 * 0,5 * 0,214 = 0,0535 W. Jag tror att transistorn värms upp något.
Jag fick 10 IRFZ44N transistorer köpta på Aliexpress, jag bestämde mig för att kolla allt och ta en bild. Kontrollerad Lcr-t4 - meter.
Vt på fotografierna motsvarar tröskelspänningen vid slutaren.
Kostnad: ~ 8